半導體工藝方法和半導體工藝設備與流（liú）程

發布時間：

2023-04-14

在自動化半導體生產線上，半導體工藝設備(如，立式（shì）熱處理（lǐ）爐)的控製係統通（tōng）常以任務(job)為單位控製半導體工藝組（zǔ）件(例如，可包括反應腔（qiāng）室、機（jī）械手等)完成半導體工藝，即，控製係統逐（zhú）個任務地執行半導體工藝，每一晶圓加工任務的任務信息均包括晶圓傳入反應腔室至（zhì）完成工藝（yì）後傳出工藝腔室的整個加工工（gōng）序的流程信息。
例（lì）如（rú），晶圓加工任務信息可（kě）以包含傳（chuán）輸配方(load map recipe)和工藝（yì）配方(process recipe)，其中，傳輸（shū）配（pèi）方（fāng）包（bāo）含晶圓(wafer)的（de）傳輸路徑以及各工位的位（wèi）置分布情況等，工藝配方為涉及晶圓加工工藝的指令集合，用戶可以通過編輯工藝配方中的各工藝步(step)來（lái）設置加工晶圓的必要（yào）控製條件，如溫度、氣（qì）體、壓力、時間等，使晶圓的表麵上形成（chéng）所需的薄膜。
隨著半（bàn）導體工藝設備所執（zhí）行的晶圓加工任務（wù）逐漸增加（jiā），反應腔室（shì）(如，立式熱處（chù）理爐的爐管)內部（bù）沉積的薄膜厚度也隨之增加，因此（cǐ）為避免該薄膜影響半導體工藝的正（zhèng）常進行，通常（cháng）需每隔一段時間對反應腔（qiāng）室（shì）內部進行清潔，以（yǐ）保證晶圓成膜（mó）的合格率和設備的使用壽命。
具體（tǐ）地，工作人員在觀（guān）測到反應腔室內部沉積的薄膜厚度較厚時，對控製係統進行手動操作，使控製（zhì）係統在完成當前晶圓加工任務後，控製半導體工藝組（zǔ）件執行腔室（shì）清潔（jié）任務，而後再手動操作控（kòng）製係（xì）統，使之繼續控製半導體工藝組件執行（háng）下一晶圓（yuán）加工任務。
該腔室清潔任務的信息可包含清潔工藝配方(purge recipe)，具體可包含將晶舟(boat)升至爐管(tube)的頂端，使爐管處於封閉狀態，並向封閉的爐管（guǎn）環境中通入（rù）特殊氣體，進而通過物理或化學方式將爐管（guǎn）內壁和晶舟表麵（miàn）的雜質去除並排出的（de）一係列指令集合。
然而，在現有技術中，不僅反應腔室內部沉積的薄膜（mó）厚度需要人工觀測、記錄，腔室（shì）清潔任務前後也需要操作人員手動操作控製係統改變（biàn）任務（wù）狀態，不僅容易存在較大的人為記錄誤差，還需要（yào）耗費（fèi）大量人力及人工（gōng）操作時間，延長了停工時間(downtime)和維護保養時間(maintenancetime)，影響半導體工藝生（shēng）產線的生產節奏。
因此，如（rú）何提供一種能夠實（shí）現自動化清潔反應腔室的半導體工藝方法及半導體工藝設備，成為本領域亟（jí）待解決（jué）的技術問（wèn）題。

91av_91小视频_www.91av_抖阴成人下载